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IPD096N08N3GBTMA1
| EXSHINE Número de pieza: | EX-IPD096N08N3GBTMA1 |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | IPD096N08N3GBTMA1 |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descripción: | MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | IPD096N08N3 G |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
IPD096N08N3GBTMA1
En stock: 74771 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 3.5V @ 46µA |
|---|---|
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | PG-TO252-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 46A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 100W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres | IPD096N08N3 G IPD096N08N3 G-ND SP000474196 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | IPD096N08N3GBTMA1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2410pF @ 40V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | N-Channel 80V 73A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 80V |
| Descripción | MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 73A (Tc) |
Otros
| Otros nombres | IPD096N08N3 G IPD096N08N3 G-ND SP000474196 |
|---|---|
| Paquete estándar | 2,500 |
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