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IPD50R950CEATMA1
| EXSHINE Número de pieza: | EX-IPD50R950CEATMA1 |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | IPD50R950CEATMA1 |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descripción: | MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | 500V CoolMOS CE BriefIPD50R950CE, IPU50R950CE |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
IPD50R950CEATMA1
En stock: 11398 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 3.5V @ 100µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | PG-TO252-3 |
| Serie | CoolMOS™ CE |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 950 mOhm @ 1.2A, 13V |
| La disipación de energía (máximo) | 53W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres | IPD50R950CEATMA1-ND IPD50R950CEATMA1TR SP001117712 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante | IPD50R950CEATMA1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 231pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | N-Channel 500V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500V |
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Tc) |
Otros
| Paquete estándar | 2,500 |
|---|---|
| Otros nombres | IPD50R950CEATMA1-ND IPD50R950CEATMA1TR SP001117712 |
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