IPF04N03LA

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IPF04N03LA

EXSHINE Número de pieza:EX-IPF04N03LA
Fabricante Número de pieza:IPF04N03LA
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descripción:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:IP(D,F,S,U)04N03LA G
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IPF04N03LA
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Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Mínimo:1

Múltiples:1

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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 2V @ 30µA
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo P-TO252-3
Serie OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs 3.8 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo) 115W (Tc)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres IPF04N03LAT
SP000014622
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante IPF04N03LA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5199pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 41nC @ 5V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 25V 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount P-TO252-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 25V
Descripción MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)

Otros

Paquete estándar 2,500
Otros nombres IPF04N03LAT

SP000014622

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