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IPP200N25N3 G
| EXSHINE Número de pieza: | EX-IPP200N25N3 G |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | IPP200N25N3 G |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descripción: | MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | IPx200N25N3 G |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
IPP200N25N3 G
En stock: 30460 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 270µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | PG-TO-220-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 20 mOhm @ 64A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 300W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 |
| Otros nombres | IPP200N25N3G IPP200N25N3GXKSA1 SP000677894 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | IPP200N25N3 G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7100pF @ 100V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | N-Channel 250V 64A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 250V |
| Descripción | MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 64A (Tc) |
Otros
| Paquete estándar | 500 |
|---|---|
| Otros nombres | IPP200N25N3G IPP200N25N3GXKSA1 SP000677894 |
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