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IPS04N03LA G

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IPS04N03LA G

EXSHINE Número de pieza:EX-IPS04N03LA G
Fabricante Número de pieza:IPS04N03LA G
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descripción:MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:IP(D,F,S,U)04N03LA G
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Reemplazo Alternativo:-
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IPS04N03LA G
En stock: 69583 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 2V @ 80µA
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo PG-TO251-3
Serie OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs 4 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo) 115W (Tc)
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-251-3 Stub Leads, IPak
Otros nombres IPS04N03LAGX
SP000016330
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 3 (168 Hours)
Número de pieza del fabricante IPS04N03LA G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5199pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 41nC @ 5V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 25V 50A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 25V
Descripción MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)

Otros

Paquete estándar 1,500
Otros nombres IPS04N03LAGX

SP000016330

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