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IRF6607TR1
| EXSHINE Número de pieza: | EX-IRF6607TR1 |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | IRF6607TR1 |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descripción: | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | IRF6607 |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
IRF6607TR1
En stock: 58455 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | DIRECTFET™ MT |
| Serie | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 25A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 3.6W (Ta), 42W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | DirectFET™ Isometric MT |
| Otros nombres | SP001530714 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante | IRF6607TR1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6930pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 75nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | N-Channel 30V 27A (Ta), 94A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Ta), 94A (Tc) |
Otros
| Otros nombres | SP001530714 |
|---|---|
| Paquete estándar | 1,000 |
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EMS EXPRESS Tiempo de entrega: 7-10 días. |
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