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IRF6645
| EXSHINE Número de pieza: | EX-IRF6645 |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | IRF6645 |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descripción: | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | IRF6645 |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
IRF6645
En stock: 43799 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 4.9V @ 50µA |
|---|---|
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | DIRECTFET™ SJ |
| Serie | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 35 mOhm @ 5.7A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 3W (Ta), 42W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | DirectFET™ Isometric SJ |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Número de pieza del fabricante | IRF6645 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | N-Channel 100V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Ta), 25A (Tc) |
Otros
| Paquete estándar | 4,800 |
|---|
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