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IRF7303PBF

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IRF7303PBF

EXSHINE Número de pieza:EX-IRF7303PBF
Fabricante Número de pieza:IRF7303PBF
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descripción:MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:IRF7303PbF
Solicitud:-
Peso:-
Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
IRF7303PBF
En stock: 18179000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA
Paquete del dispositivo 8-SO
Serie HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 50 mOhm @ 2.4A, 10V
Potencia - Max 2W
embalaje Tube
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres SP001563422
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante IRF7303PBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 25nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica de FET Standard
Descripción ampliada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V
Descripción MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 4.9A

Otros

Paquete estándar 95
Otros nombres SP001563422

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 Tiempo de entrega: 7-10 días.

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