IRF7601TR

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IRF7601TR

EXSHINE Número de pieza:EX-IRF7601TR
Fabricante Número de pieza:IRF7601TR
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descripción:MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:IRF7601
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Disponibilidad en tiempo real para
IRF7601TR
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Mínimo:1

Múltiples:1

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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 700mV @ 250µA
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo Micro8™
Serie HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 35 mOhm @ 3.8A, 4.5V
La disipación de energía (máximo) 1.8W (Ta)
embalaje Original-Reel®
Paquete / Cubierta 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Otros nombres IRF7601DKR
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante IRF7601TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 22nC @ 4.5V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 20V 5.7A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V
Descripción MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A (Ta)

Otros

Otros nombres IRF7601DKR
Paquete estándar 1

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