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IRF7910TRPBF

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IRF7910TRPBF

EXSHINE Número de pieza:EX-IRF7910TRPBF
Fabricante Número de pieza:IRF7910TRPBF
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descripción:MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:IRF7910PbF
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Peso:-
Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
IRF7910TRPBF
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 2V @ 250µA
Paquete del dispositivo 8-SO
Serie HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 15 mOhm @ 8A, 4.5V
Potencia - Max 2W
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres IRF7910TRPBF-ND
IRF7910TRPBFTR
SP001565662
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 14 Weeks
Número de pieza del fabricante IRF7910TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1730pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 26nC @ 4.5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica de FET Logic Level Gate
Descripción ampliada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 12V
Descripción MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 10A

Otros

Paquete estándar 4,000
Otros nombres IRF7910TRPBF-ND

IRF7910TRPBFTR

SP001565662

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