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IRF8915TRPBF

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IRF8915TRPBF

EXSHINE Número de pieza:EX-IRF8915TRPBF
Fabricante Número de pieza:IRF8915TRPBF
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descripción:MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:IRF8915PbF
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Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
IRF8915TRPBF
En stock: 96397000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo 8-SO
Serie HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V
Potencia - Max 2W
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres IRF8915PBFTR
IRF8915TRPBF-ND
IRF8915TRPBFTR-ND
SP001554494
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 16 Weeks
Número de pieza del fabricante IRF8915TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica de FET Logic Level Gate
Descripción ampliada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8.9A 2W Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V
Descripción MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 8.9A

Otros

Paquete estándar 4,000
Otros nombres IRF8915PBFTR

IRF8915TRPBF-ND

IRF8915TRPBFTR-ND

SP001554494

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