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IRF9332PBF
| EXSHINE Número de pieza: | EX-IRF9332PBF |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | IRF9332PBF |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descripción: | MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | IRF9332PBF |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
IRF9332PBF
En stock: 91486 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 2.4V @ 25µA |
|---|---|
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-SO |
| Serie | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 17.5 mOhm @ 9.8A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 2.5W (Ta) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres | SP001563824 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | IRF9332PBF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1270pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 41nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | P-Channel 30V 9.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción | MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 9.8A (Ta) |
Otros
| Otros nombres | SP001563824 |
|---|---|
| Paquete estándar | 95 |
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