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IRFB4110GPBF

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IRFB4110GPBF

EXSHINE Número de pieza:EX-IRFB4110GPBF
Fabricante Número de pieza:IRFB4110GPBF
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descripción:MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:IRFB4110GPbF
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Peso:-
Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
IRFB4110GPBF
En stock: 61490 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220AB
Serie HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 4.5 mOhm @ 75A, 10V
La disipación de energía (máximo) 370W (Tc)
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-220-3
Otros nombres SP001556050
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante IRFB4110GPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9620pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 210nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 100V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100V
Descripción MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)

Otros

Paquete estándar 50
Otros nombres SP001556050

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 Tiempo de entrega: 3-6 días.
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 Tiempo de entrega: 7-10 días.

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