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IRFHM8363TR2PBF
| EXSHINE Número de pieza: | EX-IRFHM8363TR2PBF |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | IRFHM8363TR2PBF |
| Fabricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descripción: | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | IRFHM8363PbF |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
IRFHM8363TR2PBF
En stock: 97535 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 2.35V @ 25µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| Serie | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 14.9 mOhm @ 10A, 10V |
| Potencia - Max | 2.7W |
| embalaje | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN |
| Otros nombres | IRFHM8363TR2PBFDKR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | IRFHM8363TR2PBF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1165pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 11A |
Otros
| Otros nombres | IRFHM8363TR2PBFDKR |
|---|---|
| Paquete estándar | 1 |
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EMS EXPRESS Tiempo de entrega: 7-10 días. |
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