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IRFP4468PBF

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IRFP4468PBF

EXSHINE Número de pieza:EX-IRFP4468PBF
Fabricante Número de pieza:IRFP4468PBF
Fabricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descripción:MOSFET N-CH 100V 195A TO-247AC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:IRFP4468PBF
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Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
IRFP4468PBF
En stock: 81360 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-247AC
Serie HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 2.6 mOhm @ 180A, 10V
La disipación de energía (máximo) 520W (Tc)
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-247-3
Otros nombres SP001554960
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks
Número de pieza del fabricante IRFP4468PBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 19860pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 540nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 100V 195A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100V
Descripción MOSFET N-CH 100V 195A TO-247AC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)

Otros

Otros nombres SP001554960
Paquete estándar 25

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