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6N136SMT/R
| EXSHINE Número de pieza: | EX-6N136SMT/R |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | 6N136SMT/R |
| Fabricante / Marca: | Isocom Components |
| Breve descripción: | OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8SMD |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | 6N135, 6N136, ICPL4502 |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
6N136SMT/R
En stock: 15516000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| Salida de voltaje - (Max) | 20V |
|---|---|
| Voltaje - Aislamiento | 5000Vrms |
| Voltaje hacia delante (Vf) (típico) | 1.45V |
| VCE de saturación (Max) | - |
| Tiempo de encendido / apagado (típico) | 150ns, 400ns |
| Paquete del dispositivo | 8-SMD |
| Serie | - |
| Tiempo de subida / bajada (típico) | - |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SMD, Gull Wing |
| Tipo de salida | Transistor with Base |
| Otros nombres | 6N136SMTR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 100°C |
| número de canales | 1 |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 2 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | 6N136SMT/R |
| Tipo de entrada | DC |
| Descripción ampliada | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 8-SMD |
| Descripción | OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8SMD |
| Relación de transferencia de corriente (mín) | 19% @ 16mA |
| Relación de transferencia de corriente (máx) | 50% @ 16mA |
| Corriente - Salida / Canal | 8mA |
| Corriente - Avance DC (Si) (Máx.) | 25mA |
Otros
| Paquete estándar | 1,000 |
|---|---|
| Otros nombres | 6N136SMTR |
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Distribuidor de Isocom Components 2004 LTD
- IXYS Corporation ofrece una amplia línea de semiconductores de alta potencia, que incluyen MOSFET de potencia de baja resistencia, IGBT de conmutación ultrarrápida, diodos de recuperación rápida (FRED), SCR y módulos de diodo, puentes rectificadores e IC de interfaz de potencia.