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Casa > Productos > Circuitos integrados (CI) > Conductores de la PMIC-puerta > BS2100F-E2
BS2100F-E2

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BS2100F-E2

EXSHINE Número de pieza:EX-BS2100F-E2
Fabricante Número de pieza:BS2100F-E2
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Breve descripción:IC DVR IGBT/MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:BS2100F
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Peso:-
Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
BS2100F-E2
En stock: 89921000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

Suministro de voltaje 10 V ~ 18 V
Paquete del dispositivo 8-SOP
Serie -
Tiempo de subida / bajada (típico) 200ns, 100ns
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Otros nombres BS2100F-E2TR
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
estilo de la llave 2
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante BS2100F-E2
Tensión lógica - VIL, VIH 1V, 2.6V
Tipo de entrada Non-Inverting
High Voltage - Máx (Bootstrap) 600V
Tipo de Puerta N-Channel MOSFET
Descripción ampliada Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOP
Configuración impulsada Half-Bridge
Descripción IC DVR IGBT/MOSFET
Corriente - Pico de salida (fuente, fregadero) 60mA, 130mA
Corriente de carga Independent

Otros

Paquete estándar 2,500
Otros nombres BS2100F-E2TR

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