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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > BSM180D12P3C007
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BSM180D12P3C007
| EXSHINE Número de pieza: | EX-BSM180D12P3C007 |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | BSM180D12P3C007 |
| Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Breve descripción: | SIC POWER MODULE |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | 1 |
| Descarga de la hoja de datos: | BSM180D12P3C007 |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
BSM180D12P3C007
En stock: 7172 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 5.6V @ 50mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo | Module |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | - |
| Potencia - Max | 880W |
| embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | Module |
| Otros nombres | Q9597863 |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | BSM180D12P3C007 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Standard |
| Descripción ampliada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 880W Surface Mount Module |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200V (1.2kV) |
| Descripción | SIC POWER MODULE |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Otros
| Paquete estándar | 12 |
|---|---|
| Otros nombres | Q9597863 |
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EMS EXPRESS Tiempo de entrega: 7-10 días. |
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