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BSM300D12P2E001

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BSM300D12P2E001

EXSHINE Número de pieza:EX-BSM300D12P2E001
Fabricante Número de pieza:BSM300D12P2E001
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Breve descripción:MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:BSM300D12P2E001
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Peso:-
Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
BSM300D12P2E001
En stock: 4532 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 4V @ 68mA
Paquete del dispositivo Module
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs -
Potencia - Max 1875W
embalaje Tray
Paquete / Cubierta Module
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 12 Weeks
Número de pieza del fabricante BSM300D12P2E001
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 35000pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs -
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET Standard
Descripción ampliada Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 300A 1875W Chassis Mount Module
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1200V (1.2kV)
Descripción MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 300A

Otros

Paquete estándar 4

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 EMS EXPRESS
 Tiempo de entrega: 7-10 días.

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