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EM6M2T2R
| EXSHINE Número de pieza: | EX-EM6M2T2R |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | EM6M2T2R |
| Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Breve descripción: | MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | EM6M2 |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
EM6M2T2R
En stock: 16312000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo | EMT6 |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1 Ohm @ 200mA, 4V |
| Potencia - Max | 150mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres | EM6M2T2R-ND EM6M2T2RTR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | EM6M2T2R |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Característica de FET | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada | Mosfet Array N and P-Channel 20V 200mA 150mW Surface Mount EMT6 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción | MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA |
Otros
| Paquete estándar | 8,000 |
|---|---|
| Otros nombres | EM6M2T2R-ND EM6M2T2RTR |
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