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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas > EMG3T2R
EMG3T2R

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EMG3T2R

EXSHINE Número de pieza:EX-EMG3T2R
Fabricante Número de pieza:EMG3T2R
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Breve descripción:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:EMG3, UMG3N, FMG3A
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Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
EMG3T2R
En stock: 39234000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
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Parámetro del producto

Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo EMT3
Serie -
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms) -
Resistencia - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Potencia - Max 150mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SC-75, SOT-416
Otros nombres EMG3T2R-ND
EMG3T2RTR
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks
Número de pieza del fabricante EMG3T2R
Frecuencia - Transición 250MHz
Descripción ampliada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
Descripción TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA

Otros

Otros nombres EMG3T2R-ND

EMG3T2RTR
Paquete estándar 8,000

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