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EMH9T2R

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EMH9T2R

EXSHINE Número de pieza:EX-EMH9T2R
Fabricante Número de pieza:EMH9T2R
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Breve descripción:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:EMH9, UMH9N, IMH9A
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Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
EMH9T2R
En stock: 63806000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo EMT6
Serie -
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms) 47k
Resistencia - Base (R1) (Ohms) 10k
Potencia - Max 150mW
embalaje Original-Reel®
Paquete / Cubierta SOT-563, SOT-666
Otros nombres EMH9T2RDKR
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks
Número de pieza del fabricante EMH9T2R
Frecuencia - Transición 250MHz
Descripción ampliada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Descripción TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA

Otros

Otros nombres EMH9T2RDKR
Paquete estándar 1

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