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IMD10AT108

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IMD10AT108

EXSHINE Número de pieza:EX-IMD10AT108
Fabricante Número de pieza:IMD10AT108
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Breve descripción:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:IMD10A
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Parámetro del producto

Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo SMT6
Serie -
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms) 10k
Resistencia - Base (R1) (Ohms) 10k, 100
Potencia - Max 300mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SC-74, SOT-457
Otros nombres IMD10AT108TR
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante IMD10AT108
Frecuencia - Transición 250MHz, 200MHz
Descripción ampliada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6
Descripción TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA, 500mA

Otros

Paquete estándar 3,000
Otros nombres IMD10AT108TR

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