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QH8KA1TCR

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QH8KA1TCR

EXSHINE Número de pieza:EX-QH8KA1TCR
Fabricante Número de pieza:QH8KA1TCR
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Breve descripción:30V NCH+NCH POWER MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:QH8KA1
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Peso:-
Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
QH8KA1TCR
En stock: 52683000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo TSMT8
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 73 mOhm @ 4.5A, 10V
Potencia - Max 2.4W
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-SMD, Flat Lead
Otros nombres QH8KA1TCRTR
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks
Número de pieza del fabricante QH8KA1TCR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 125pf @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 3nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica de FET -
Descripción ampliada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A 2.4W Surface Mount TSMT8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V
Descripción 30V NCH+NCH POWER MOSFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A

Otros

Paquete estándar 3,000
Otros nombres QH8KA1TCRTR

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