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QS8M12TCR
| EXSHINE Número de pieza: | EX-QS8M12TCR |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | QS8M12TCR |
| Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Breve descripción: | MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | 1 |
| Descarga de la hoja de datos: | QS8M12 |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
QS8M12TCR
En stock: 77356000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo | TSMT8 |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 42 mOhm @ 4A, 10V |
| Potencia - Max | 1.5W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SMD, Flat Lead |
| Otros nombres | QS8M12TCRTR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | QS8M12TCR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 3.4nC @ 5V |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Característica de FET | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A 1.5W Surface Mount TSMT8 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción | MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
Otros
| Paquete estándar | 3,000 |
|---|---|
| Otros nombres | QS8M12TCRTR |
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