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RF081L2STE25

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RF081L2STE25

EXSHINE Número de pieza:EX-RF081L2STE25
Fabricante Número de pieza:RF081L2STE25
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Breve descripción:DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:1
Descarga de la hoja de datos:RF081L2S
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Peso:-
Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
RF081L2STE25
En stock: 75439000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
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Parámetro del producto

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 980mV @ 1.1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 200V
Paquete del dispositivo PMDS
Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 25ns
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta DO-214AC, SMA
Otros nombres RF081L2STE25TR
Temperatura de funcionamiento - Junction 150°C (Max)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 20 Weeks
Número de pieza del fabricante RF081L2STE25
Descripción ampliada Diode Standard 200V 1A Surface Mount PMDS
Tipo de diodo Standard
Descripción DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Corriente - Fuga inversa a Vr 10µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io) 1A
Capacitancia Vr, F -

Otros

Otros nombres RF081L2STE25TR
Paquete estándar 1,500

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