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RF4E070BNTR
| EXSHINE Número de pieza: | EX-RF4E070BNTR |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | RF4E070BNTR |
| Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Breve descripción: | MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | 1 |
| Descarga de la hoja de datos: | RF4E070BN |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
RF4E070BNTR
En stock: 21677000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 6-HUML2020L8 (2x2) |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 28.6 mOhm @ 7A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 2W (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-PowerUDFN |
| Otros nombres | RF4E070BNTRTR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | RF4E070BNTR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 8.9nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | N-Channel 30V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-HUML2020L8 (2x2) |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción | MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
Otros
| Paquete estándar | 3,000 |
|---|---|
| Otros nombres | RF4E070BNTRTR |
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