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EXSHINE Número de pieza:EX-RSS085N05FU6TB
Fabricante Número de pieza:RSS085N05FU6TB
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Breve descripción:MOSFET N-CH 45V 8.5A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:RSS085N05
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Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
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  • embalaje

Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id -
Vgs (Max) 20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo 8-SOP
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 18 mOhm @ 8.5A, 10V
La disipación de energía (máximo) 2W (Ta)
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres RSS085N05FU6TBTR
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante RSS085N05FU6TB
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 21.4nC @ 5V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 45V 8.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 45V
Descripción MOSFET N-CH 45V 8.5A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 8.5A (Ta)

Otros

Otros nombres RSS085N05FU6TBTR
Paquete estándar 2,500

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