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RW1A030APT2CR
| EXSHINE Número de pieza: | EX-RW1A030APT2CR |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | RW1A030APT2CR |
| Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Breve descripción: | MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | 1 |
| Descarga de la hoja de datos: | RW1A030APPackaging Info for TransistorsProduct Catalog TransistorsP/N Explanation for Transistors |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
RW1A030APT2CR
En stock: 95793000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | -8V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 6-WEMT |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 42 mOhm @ 3A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 700mW (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres | RW1A030APT2CR-ND RW1A030APT2CRTR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | RW1A030APT2CR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 6V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | P-Channel 12V 3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 12V |
| Descripción | MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Otros
| Paquete estándar | 8,000 |
|---|---|
| Otros nombres | RW1A030APT2CR-ND RW1A030APT2CRTR |
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