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SH8M11TB1
| EXSHINE Número de pieza: | EX-SH8M11TB1 |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | SH8M11TB1 |
| Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Breve descripción: | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | SH8M11 |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
SH8M11TB1
En stock: 91149000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo | 8-SOP |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 98 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Potencia - Max | 2W |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | SH8M11TB1 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 85pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 1.9nC @ 5V |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Característica de FET | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A |
Otros
| Paquete estándar | 2,500 |
|---|
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