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TT8U2TCR
| EXSHINE Número de pieza: | EX-TT8U2TCR |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | TT8U2TCR |
| Fabricante / Marca: | LAPIS Semiconductor |
| Breve descripción: | MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | 1 |
| Descarga de la hoja de datos: | TT8U2 |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
TT8U2TCR
En stock: 96942000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | 8-TSST |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 105 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 1.25W (Ta) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SMD, Flat Lead |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | TT8U2TCR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 6.7nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Descripción ampliada | P-Channel 20V 2.4A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-TSST |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 2.4A TSST8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Otros
| Paquete estándar | 3,000 |
|---|
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EMS EXPRESS Tiempo de entrega: 7-10 días. |
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