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US6M2TR

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US6M2TR

EXSHINE Número de pieza:EX-US6M2TR
Fabricante Número de pieza:US6M2TR
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Breve descripción:MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:US6M2
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Peso:-
Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
US6M2TR
En stock: 61454000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 1.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo TUMT6
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Potencia - Max 1W
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 6-SMD, Flat Leads
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks
Número de pieza del fabricante US6M2TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V
Tipo FET N and P-Channel
Característica de FET Standard
Descripción ampliada Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V, 20V
Descripción MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A, 1A

Otros

Paquete estándar 3,000

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