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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > UT6K3TCR

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UT6K3TCR

EXSHINE Número de pieza:EX-UT6K3TCR
Fabricante Número de pieza:UT6K3TCR
Fabricante / Marca:LAPIS Semiconductor
Breve descripción:30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:1
Descarga de la hoja de datos:UT6K3
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Peso:-
Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
UT6K3TCR
En stock: 52453000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 1.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo HUML2020L8
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 42 mOhm @ 5A, 4.5V
Potencia - Max 2W
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 6-UDFN Exposed Pad
Otros nombres UT6K3TCRTR
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks
Número de pieza del fabricante UT6K3TCR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica de FET -
Descripción ampliada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 2W Surface Mount HUML2020L8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30V
Descripción 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A

Otros

Paquete estándar 3,000
Otros nombres UT6K3TCRTR

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