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TN0110N3-G
| EXSHINE Número de pieza: | EX-TN0110N3-G |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | TN0110N3-G |
| Fabricante / Marca: | Microchip Technology |
| Breve descripción: | MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | TN0110 |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
TN0110N3-G
En stock: 88624000 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 500µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-92-3 |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3 Ohm @ 500mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 1W (Tc) |
| embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 19 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | TN0110N3-G |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | N-Channel 100V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción | MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 350mA (Tj) |
Otros
| Paquete estándar | 1,000 |
|---|
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Distribuidor de Microchip Technology
- Fundada en 1998, Micro Commercial Components Corp. (MCC) es un proveedor de semiconductores discretos de alta calidad para los mercados de consumo. Los productos de MCC incluyen diodos, rectificadores, transistores, MOSFET, reguladores de voltaje y dispositivos de protección.