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3135GN-170M

EXSHINE Número de pieza:EX-3135GN-170M
Fabricante Número de pieza:3135GN-170M
Fabricante / Marca:Microsemi
Breve descripción:FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:3135GN-170M
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3135GN-170M
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Parámetro del producto

Voltaje - Prueba 60V
Tensión - Calificación 150V
Tipo de transistor 2 N-Channel (Dual) Common Source
Paquete del dispositivo 55QP
Serie -
Alimentación - Salida 185W
embalaje Bulk
Paquete / Cubierta 55QP
Figura de ruido -
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante 3135GN-170M
Ganancia 11.5dB ~ 11.8dB
Frecuencia 3.1GHz ~ 3.5GHz
Descripción ampliada RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 500mA 3.1GHz ~ 3.5GHz 11.5dB ~ 11.8dB 185W 55QP
Descripción FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP
Valoración actual 5mA
Corriente - Prueba 500mA

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Paquete estándar 1

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Distribuidor de Microsemi Corporation

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