APT10SCD65K

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APT10SCD65K

EXSHINE Número de pieza:EX-APT10SCD65K
Fabricante Número de pieza:APT10SCD65K
Fabricante / Marca:Microsemi
Breve descripción:DIODE SILICON 650V 17A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:APT10SCD65K
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Disponibilidad en tiempo real para
APT10SCD65K
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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25+:
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100+:
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500+:
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1000+:
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  • Descripción
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  • embalaje

Parámetro del producto

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1.8V @ 10A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 650V
Paquete del dispositivo TO-220 [K]
Velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 0ns
embalaje Bulk
Paquete / Cubierta TO-220-2
Temperatura de funcionamiento - Junction -55°C ~ 150°C
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 22 Weeks
Número de pieza del fabricante APT10SCD65K
Descripción ampliada Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K]
Tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
Descripción DIODE SILICON 650V 17A TO220
Corriente - Fuga inversa a Vr 200µA @ 650V
Corriente - rectificada media (Io) 17A
Capacitancia Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz

Otros

Paquete estándar 1

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