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APT8M100B

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APT8M100B

EXSHINE Número de pieza:EX-APT8M100B
Fabricante Número de pieza:APT8M100B
Fabricante / Marca:Microsemi
Breve descripción:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:APT8M100(B,S)Power Products Catalog
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Peso:-
Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
APT8M100B
En stock: 34360 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 5V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-247 [B]
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 1.8 Ohm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo) 290W (Tc)
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-247-3
Otros nombres APT8M100BMI
APT8M100BMI-ND
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 22 Weeks
Número de pieza del fabricante APT8M100B
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1885pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 60nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 1000V (1kV) 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1000V (1kV)
Descripción MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)

Otros

Paquete estándar 30
Otros nombres APT8M100BMI

APT8M100BMI-ND

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Distribuidor de Microsemi Corporation

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