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APT9F100B
| EXSHINE Número de pieza: | EX-APT9F100B |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | APT9F100B |
| Fabricante / Marca: | Microsemi |
| Breve descripción: | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | 1 |
| Descarga de la hoja de datos: | Power Products CatalogAPT9F100B/S |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
APT9F100B
En stock: 30600 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-247 [B] |
| Serie | POWER MOS 8™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 337W (Tc) |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 22 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | APT9F100B |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2606pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | N-Channel 1000V (1kV) 9A (Tc) 337W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1000V (1kV) |
| Descripción | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Otros
| Paquete estándar | 30 |
|---|
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EMS EXPRESS Tiempo de entrega: 7-10 días. |
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