APTC60DDAM35T3G

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APTC60DDAM35T3G

EXSHINE Número de pieza:EX-APTC60DDAM35T3G
Fabricante Número de pieza:APTC60DDAM35T3G
Fabricante / Marca:Microsemi
Breve descripción:MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:APTC60DDAM35T3GPower Products Catalog
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APTC60DDAM35T3G
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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 3.9V @ 5.4mA
Paquete del dispositivo SP3
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 35 mOhm @ 72A, 10V
Potencia - Max 416W
embalaje Bulk
Paquete / Cubierta SP3
Otros nombres APTC60DDAM35T3GMP
APTC60DDAM35T3GMP-ND
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 22 Weeks
Número de pieza del fabricante APTC60DDAM35T3G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 518nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica de FET Standard
Descripción ampliada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 72A 416W Chassis Mount SP3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600V
Descripción MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 72A

Otros

Otros nombres APTC60DDAM35T3GMP

APTC60DDAM35T3GMP-ND
Paquete estándar 1

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