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APTM100A13SG
| EXSHINE Número de pieza: | EX-APTM100A13SG |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | APTM100A13SG |
| Fabricante / Marca: | Microsemi |
| Breve descripción: | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | APTM100A13SGPower Products Catalog |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
APTM100A13SG
En stock: 1298 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 6mA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo | SP6 |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 156 mOhm @ 32.5A, 10V |
| Potencia - Max | 1250W |
| embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | SP6 |
| Otros nombres | APTM100A13SGMI APTM100A13SGMI-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 22 Weeks |
| Número de pieza del fabricante | APTM100A13SG |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 15200pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 562nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica de FET | Standard |
| Descripción ampliada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 65A 1250W Chassis Mount SP6 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1000V (1kV) |
| Descripción | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 65A |
Otros
| Paquete estándar | 1 |
|---|---|
| Otros nombres | APTM100A13SGMI APTM100A13SGMI-ND |
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EMS EXPRESS Tiempo de entrega: 7-10 días. |
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