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APTM10DAM05TG

EXSHINE Número de pieza:EX-APTM10DAM05TG
Fabricante Número de pieza:APTM10DAM05TG
Fabricante / Marca:Microsemi
Breve descripción:MOSFET N-CH 100V 278A SP4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:1
Descarga de la hoja de datos:APTM10DAM05TGPower Products Catalog
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Disponibilidad en tiempo real para
APTM10DAM05TG
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Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 4V @ 5mA
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo SP4
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 5 mOhm @ 125A, 10V
La disipación de energía (máximo) 780W (Tc)
embalaje Bulk
Paquete / Cubierta SP4
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 22 Weeks
Número de pieza del fabricante APTM10DAM05TG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 20000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 700nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 100V 278A 780W (Tc) Chassis Mount SP4
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100V
Descripción MOSFET N-CH 100V 278A SP4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 278A

Otros

Paquete estándar 1

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