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APTM20DAM04G

EXSHINE Número de pieza:EX-APTM20DAM04G
Fabricante Número de pieza:APTM20DAM04G
Fabricante / Marca:Microsemi
Breve descripción:MOSFET N-CH 200V 372A SP6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:1
Descarga de la hoja de datos:APTM20DAM04GPower Products Catalog
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Disponibilidad en tiempo real para
APTM20DAM04G
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Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id 5V @ 10mA
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo SP6
Serie -
RDS (Max) @Id, Vgs 5 mOhm @ 186A, 10V
La disipación de energía (máximo) 1250W (Tc)
embalaje Bulk
Paquete / Cubierta SP6
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 22 Weeks
Número de pieza del fabricante APTM20DAM04G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 28900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 560nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Descripción ampliada N-Channel 200V 372A 1250W (Tc) Chassis Mount SP6
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200V
Descripción MOSFET N-CH 200V 372A SP6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 372A

Otros

Paquete estándar 1

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