APTSM120AM14CD3AG

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EXSHINE Número de pieza:	EX-APTSM120AM14CD3AG
Fabricante Número de pieza:	APTSM120AM14CD3AG
Fabricante / Marca:	Microsemi
Breve descripción:	POWER MODULE - SIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:	1
Descarga de la hoja de datos:	APTSM120AM14CD3AG
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

APTSM120AM14CD3AG
En stock: 6146 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id	3V @ 9mA
Paquete del dispositivo	Module
Serie	-
RDS (Max) @Id, Vgs	11 mOhm @ 180A, 20V
Potencia - Max	2140W
embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	Module
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	22 Weeks
Número de pieza del fabricante	APTSM120AM14CD3AG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	23000pF @ 1000V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	1224nC @ 20V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual), Schottky
Característica de FET	Silicon Carbide (SiC)
Descripción ampliada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 1200V (1.2kV) 337A (Tc) 2140W Chassis Mount Module
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	1200V (1.2kV)
Descripción	POWER MODULE - SIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	337A (Tc)

Otros

Paquete estándar	1

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Distribuidor de Microsemi Corporation

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Microsemi Commercial Components Group APTSM120AM14CD3AG
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