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JAN2N6849
| EXSHINE Número de pieza: | EX-JAN2N6849 |
|---|---|
| Fabricante Número de pieza: | JAN2N6849 |
| Fabricante / Marca: | Microsemi |
| Breve descripción: | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39 |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS: | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| Condición: | New and unused, Original |
| Descarga de la hoja de datos: | 2N6849 |
| Solicitud: | - |
| Peso: | - |
| Reemplazo Alternativo: | - |
Disponibilidad en tiempo real para
JAN2N6849
En stock: 87450 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas
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- Descripción
- Pago
- Envío
- embalaje
Parámetro del producto
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | TO-39 |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/564 |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 320 mOhm @ 6.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | TO-205AF Metal Can |
| Otros nombres | JAN2N6849-MIL |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | JAN2N6849 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 34.8nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - |
| Descripción ampliada | P-Channel 100V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
Otros
| Otros nombres | JAN2N6849-MIL |
|---|---|
| Paquete estándar | 1 |
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