JANTX1N6641US

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EXSHINE Número de pieza:	EX-JANTX1N6641US
Fabricante Número de pieza:	JANTX1N6641US
Fabricante / Marca:	Microsemi
Breve descripción:	DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	1N6639-41US
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

JANTX1N6641US
En stock: 74480 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.1V @ 300mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	50V
Paquete del dispositivo	D-5B
Velocidad	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	Military, MIL-PRF-19500/609
Tiempo de recuperación inversa (trr)	5ns
embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	SQ-MELF, B
Otros nombres	1086-20019 1086-20019-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction	-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	12 Weeks
Número de pieza del fabricante	JANTX1N6641US
Descripción ampliada	Diode Standard 50V 300mA (DC) Surface Mount D-5B
Tipo de diodo	Standard
Descripción	DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
Corriente - Fuga inversa a Vr	100µA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io)	300mA (DC)
Capacitancia Vr, F	-

Otros

Paquete estándar	1
Otros nombres	1086-20019 1086-20019-MIL

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