JANTXV1N5554US

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EXSHINE Número de pieza:	EX-JANTXV1N5554US
Fabricante Número de pieza:	JANTXV1N5554US
Fabricante / Marca:	Microsemi
Breve descripción:	DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	1N5550US thru 1N5554US
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

JANTXV1N5554US
En stock: 56020 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @	1.3V @ 9A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)	1000V (1kV)
Paquete del dispositivo	D-5B
Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie	Military, MIL-PRF-19500/420
Tiempo de recuperación inversa (trr)	2µs
embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	SQ-MELF, B
Otros nombres	1086-19418 1086-19418-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction	-65°C ~ 175°C
Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	14 Weeks
Número de pieza del fabricante	JANTXV1N5554US
Descripción ampliada	Diode Standard 1000V (1kV) 3A Surface Mount D-5B
Tipo de diodo	Standard
Descripción	DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
Corriente - Fuga inversa a Vr	1µA @ 1000V
Corriente - rectificada media (Io)	3A
Capacitancia Vr, F	-

Otros

Otros nombres	1086-19418 1086-19418-MIL
Paquete estándar	1

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