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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-bipolar (BJT)-RF > MDS60L

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MDS60L

EXSHINE Número de pieza:EX-MDS60L
Fabricante Número de pieza:MDS60L
Fabricante / Marca:Microsemi
Breve descripción:TRANS RF BIPO 120W 4A 55AW1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:MDS60L
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Peso:-
Reemplazo Alternativo:-
Disponibilidad en tiempo real para
MDS60L
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Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

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Parámetro del producto

Tensión - Colector-emisor (máx) 65V
Tipo de transistor NPN
Paquete del dispositivo 55AW
Serie -
Potencia - Max 120W
embalaje Bulk
Paquete / Cubierta 55AW
Temperatura de funcionamiento 200°C (TJ)
La figura de ruido (dB Typ @ f) -
Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante MDS60L
Ganancia 10dB
Frecuencia - Transición 1.03GHz ~ 1.09GHz
Descripción ampliada RF Transistor NPN 65V 4A 1.03GHz ~ 1.09GHz 120W Chassis Mount 55AW
Descripción TRANS RF BIPO 120W 4A 55AW1
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 500mA, 5V
Corriente - colector (Ic) (Max) 4A

Otros

Paquete estándar 1

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Distribuidor de Microsemi Corporation

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