AFT09S200W02GNR3

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EXSHINE Número de pieza:	EX-AFT09S200W02GNR3
Fabricante Número de pieza:	AFT09S200W02GNR3
Fabricante / Marca:	NXP Semiconductors / Freescale
Breve descripción:	FET RF 70V 960MHZ PLD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	AFT09S200W02(G)NR3
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

AFT09S200W02GNR3
En stock: 35860 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

Voltaje - Prueba	28V
Tensión - Calificación	70V
Tipo de transistor	LDMOS
Paquete del dispositivo	OM-780-2
Serie	-
Alimentación - Salida	56W
embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	OM-780-2
Otros nombres	935320369528
Figura de ruido	-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks
Número de pieza del fabricante	AFT09S200W02GNR3
Ganancia	19.2dB
Frecuencia	960MHz
Descripción ampliada	RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 960MHz 19.2dB 56W OM-780-2
Descripción	FET RF 70V 960MHZ PLD
Valoración actual	-
Corriente - Prueba	1.4A

Otros

Paquete estándar	250
Otros nombres	935320369528

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NXP Semiconductors / Freescale AFT09S200W02GNR3
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NXP Semiconductors / Freescale AFT09S200W02GNR3
NXP Semiconductors AFT09S200W02GNR3
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Freescale Semiconductor - NXP AFT09S200W02GNR3
NXP USA Inc. AFT09S200W02GNR3
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