BUK9E8R5-40E,127

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EXSHINE Número de pieza:	EX-BUK9E8R5-40E,127
Fabricante Número de pieza:	BUK9E8R5-40E,127
Fabricante / Marca:	NXP Semiconductors / Freescale
Breve descripción:	MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	BUK9E8R5-40E
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

BUK9E8R5-40E,127
En stock: 68346 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

VGS (th) (Max) @Id	2.1V @ 1mA
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	I2PAK
Serie	TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs	6.6 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)	96W (Tc)
embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres	568-9878-5 934066415127 BUK9E8R540E127
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante	BUK9E8R5-40E,127
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	20.9nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-
Descripción ampliada	N-Channel 40V 75A (Tc) 96W (Tc) Through Hole I2PAK
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	40V
Descripción	MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)

Otros

Paquete estándar	50
Otros nombres	568-9878-5 934066415127 BUK9E8R540E127

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Distribuidor de NXP USA Inc.

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