MRFE6VP6600GNR3

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EXSHINE Número de pieza:	EX-MRFE6VP6600GNR3
Fabricante Número de pieza:	MRFE6VP6600GNR3
Fabricante / Marca:	NXP Semiconductors / Freescale
Breve descripción:	TRANS RF LDMOS 600W 50V
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición:	New and unused, Original
Descarga de la hoja de datos:	RF Products Selector Guide MRFE6VP6600(G)N
Solicitud:	-
Peso:	-
Reemplazo Alternativo:	-

Disponibilidad en tiempo real para

MRFE6VP6600GNR3
En stock: 39040 Las PC se pueden enviar en 1-2 días.
Stock futuro: 12000 piezas en 7-10 días.
Plazo de ejecución del fabricante: 8-10 semanas

Descripción
Pago
Envío
embalaje

Parámetro del producto

Voltaje - Prueba	50V
Tensión - Calificación	133V
Tipo de transistor	LDMOS (Dual)
Paquete del dispositivo	OM-780G-4L
Serie	-
Alimentación - Salida	600W
embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	OM-780G-4L
Otros nombres	935323761528
Figura de ruido	-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)	3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante	10 Weeks
Número de pieza del fabricante	MRFE6VP6600GNR3
Ganancia	24.7dB
Frecuencia	230MHz
Descripción ampliada	RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 24.7dB 600W OM-780G-4L
Descripción	TRANS RF LDMOS 600W 50V
Valoración actual	-
Corriente - Prueba	100mA

Otros

Paquete estándar	250
Otros nombres	935323761528

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NXP Semiconductors / Freescale MRFE6VP6600GNR3
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Freescale Semiconductor - NXP MRFE6VP6600GNR3
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